ELETRÔNICA ANALÓGICA I
Observe o gráfico abaixo e escolha a alternativa que contempla a região em que o TJB pode trabalhar como saturação.

quando Ib = 50uA
quando VCE > 20V
quando VCE = 10V
quando Ib = 0 uA
quando VCE < 2V
Os três materiais semicondutores utilizados comercialmente para construção de dispositivos semicondutores são: Germânio (Ge), Silício (Si) e Arsenieto de Gálio (GaAs). Se analisarmos a tensão de joelho (Barreira de potencial) dos diodos construídos utilizando estes materiais, percebemos que cada material oferece uma queda de tensão quando o diodo é polarizado diretamente. Marque a opção que representa a tensão Vk (Tensão de joelho) para cada material:
Silício Vk = 0,7V ; Germânio Vk = 0,3V ; Arsenieto de Gálio Vk = 1,1V
Silício Vk = 0,7V ; Germânio Vk = 1V ; Arsenieto de Gálio Vk = 1V
Silício Vk = 0,3V ; Germânio Vk = 0,5V ; Arsenieto de Gálio Vk = 1V
Silício Vk = 0,7V ; Germânio Vk = 1,2V ; Arsenieto de Gálio Vk = 1V
Silício Vk = 0,7V ; Germânio Vk = 0,3V ; Arsenieto de Gálio Vk = 1,2V
Considerando o circuito apresentado, calcule o valor da corrente do circuito e da tensão no resistor R1. Considere D1 de germânio e D2 de silício.

I = 5,66 mA VR1 = 5,66V
I = 4,33 mA VR1 = 4,33V
I = 6 mA VR1 = 6V
I = 4,66 mA VR1 = 4,66V
I = 3,33 mA VR1 = 3,33V
Escolha a alternativa que completa a frase a seguir: "A pastilha semicondutora de silício do tipo N passou pelo processo de dopagem eletrônica com átomos_________________"
Pentavalentes
Trivalentes
Tetravalentes
Polivantes
Nenhuma das Anteriores
Considerando o circuito abaixo, escolha a alternativa que representa o valor de VCE:

4V
7V
8V
12V
4,5V
Considerando o modelo simplificado do diodo, determine as correntes ID para os circuitos mostrados na figura abaixo.

(a) 0 mA (b) 0 mA
(a) - 2,053mA (b) - 8,77mA
(a) 2,053mA (b) 8,77mA
(a) 4,063mA (b) 2,55mA
(a) - 2,053mA (b) - 4,23mA
Dado o circuito abaixo responda:
(a) Determine o valor médio (cc) de saída para o circuito da figura abaixo.
(b) Repita o item (a) se o diodo ideal for substituído por um diodo de silício.
(c) Repita os itens (a) e (b) se Vp (Tensão de pico) for aumentada para 150V em duas situações. Uma considerando a queda do diodo e outra não. Compare os resultados.

(a) -19,08 V; (b) -18,635 V; (c) -95,4 V (I) aproximadamente -94,95 V (II)
(a) -30 V; (b) -29,3 V; (c) -47,7 V (I) aproximadamente -47,48 V (II)
(a) 9,54 V; (b) 9,32 V; (c) 47,7 V (I) aproximadamente 47,48 V (II)
(a) -9,54 V; (b) -9,32 V; (c) -47,7 V (I) aproximadamente -47,48 V (II)
(a) -9,54 V; (b) -9,32 V; (c) -150 V (I) aproximadamente -149,3 V (II)
Escolha a alternativa que possui a palavra cujo significado é a frase a seguir: "É todo material que possui uma rede cristalina pura, de somente um tipo de átomo, e suas ligações são covalentes e não possuem elétrons livres na camada de valência, ou seja, não passou pelo processo de dopagem"
Semicondutor
Intrínseco
Dopado
Silício
Extrínseco
Considere uma fonte de 9VDC ligada a um circuito série com 5 diodos de silício polarizados diretamente e, posteriormente, uma resistência de 1k Ohms. Qual a tensão aplicada sobre essa resistência?

quando Ib = 50uA
quando VCE > 20V
quando VCE = 10V
quando Ib = 0 uA
quando VCE < 2V
Os três materiais semicondutores utilizados comercialmente para construção de dispositivos semicondutores são: Germânio (Ge), Silício (Si) e Arsenieto de Gálio (GaAs). Se analisarmos a tensão de joelho (Barreira de potencial) dos diodos construídos utilizando estes materiais, percebemos que cada material oferece uma queda de tensão quando o diodo é polarizado diretamente. Marque a opção que representa a tensão Vk (Tensão de joelho) para cada material:
Silício Vk = 0,7V ; Germânio Vk = 0,3V ; Arsenieto de Gálio Vk = 1,1V
Silício Vk = 0,7V ; Germânio Vk = 1V ; Arsenieto de Gálio Vk = 1V
Silício Vk = 0,3V ; Germânio Vk = 0,5V ; Arsenieto de Gálio Vk = 1V
Silício Vk = 0,7V ; Germânio Vk = 1,2V ; Arsenieto de Gálio Vk = 1V
Silício Vk = 0,7V ; Germânio Vk = 0,3V ; Arsenieto de Gálio Vk = 1,2V
Considerando o circuito apresentado, calcule o valor da corrente do circuito e da tensão no resistor R1. Considere D1 de germânio e D2 de silício.

I = 5,66 mA VR1 = 5,66V
I = 4,33 mA VR1 = 4,33V
I = 6 mA VR1 = 6V
I = 4,66 mA VR1 = 4,66V
I = 3,33 mA VR1 = 3,33V
Escolha a alternativa que completa a frase a seguir: "A pastilha semicondutora de silício do tipo N passou pelo processo de dopagem eletrônica com átomos_________________"
Pentavalentes
Trivalentes
Tetravalentes
Polivantes
Nenhuma das Anteriores
Considerando o circuito abaixo, escolha a alternativa que representa o valor de VCE:

4V
7V
8V
12V
4,5V
Considerando o modelo simplificado do diodo, determine as correntes ID para os circuitos mostrados na figura abaixo.

(a) 0 mA (b) 0 mA
(a) - 2,053mA (b) - 8,77mA
(a) 2,053mA (b) 8,77mA
(a) 4,063mA (b) 2,55mA
(a) - 2,053mA (b) - 4,23mA
Dado o circuito abaixo responda:
(a) Determine o valor médio (cc) de saída para o circuito da figura abaixo.
(b) Repita o item (a) se o diodo ideal for substituído por um diodo de silício.
(c) Repita os itens (a) e (b) se Vp (Tensão de pico) for aumentada para 150V em duas situações. Uma considerando a queda do diodo e outra não. Compare os resultados.

(a) -19,08 V; (b) -18,635 V; (c) -95,4 V (I) aproximadamente -94,95 V (II)
(a) -30 V; (b) -29,3 V; (c) -47,7 V (I) aproximadamente -47,48 V (II)
(a) 9,54 V; (b) 9,32 V; (c) 47,7 V (I) aproximadamente 47,48 V (II)
(a) -9,54 V; (b) -9,32 V; (c) -47,7 V (I) aproximadamente -47,48 V (II)
(a) -9,54 V; (b) -9,32 V; (c) -150 V (I) aproximadamente -149,3 V (II)
Escolha a alternativa que possui a palavra cujo significado é a frase a seguir: "É todo material que possui uma rede cristalina pura, de somente um tipo de átomo, e suas ligações são covalentes e não possuem elétrons livres na camada de valência, ou seja, não passou pelo processo de dopagem"
Semicondutor
Intrínseco
Dopado
Silício
Extrínseco
Considere uma fonte de 9VDC ligada a um circuito série com 5 diodos de silício polarizados diretamente e, posteriormente, uma resistência de 1k Ohms. Qual a tensão aplicada sobre essa resistência?
Silício Vk = 0,7V ; Germânio Vk = 0,3V ; Arsenieto de Gálio Vk = 1,1V
Silício Vk = 0,7V ; Germânio Vk = 1V ; Arsenieto de Gálio Vk = 1V
Silício Vk = 0,3V ; Germânio Vk = 0,5V ; Arsenieto de Gálio Vk = 1V
Silício Vk = 0,7V ; Germânio Vk = 1,2V ; Arsenieto de Gálio Vk = 1V
Silício Vk = 0,7V ; Germânio Vk = 0,3V ; Arsenieto de Gálio Vk = 1,2V
Considerando o circuito apresentado, calcule o valor da corrente do circuito e da tensão no resistor R1. Considere D1 de germânio e D2 de silício.

I = 5,66 mA VR1 = 5,66V
I = 4,33 mA VR1 = 4,33V
I = 6 mA VR1 = 6V
I = 4,66 mA VR1 = 4,66V
I = 3,33 mA VR1 = 3,33V
Escolha a alternativa que completa a frase a seguir: "A pastilha semicondutora de silício do tipo N passou pelo processo de dopagem eletrônica com átomos_________________"
Pentavalentes
Trivalentes
Tetravalentes
Polivantes
Nenhuma das Anteriores
Considerando o circuito abaixo, escolha a alternativa que representa o valor de VCE:

4V
7V
8V
12V
4,5V
Considerando o modelo simplificado do diodo, determine as correntes ID para os circuitos mostrados na figura abaixo.

(a) 0 mA (b) 0 mA
(a) - 2,053mA (b) - 8,77mA
(a) 2,053mA (b) 8,77mA
(a) 4,063mA (b) 2,55mA
(a) - 2,053mA (b) - 4,23mA
Dado o circuito abaixo responda:
(a) Determine o valor médio (cc) de saída para o circuito da figura abaixo.
(b) Repita o item (a) se o diodo ideal for substituído por um diodo de silício.
(c) Repita os itens (a) e (b) se Vp (Tensão de pico) for aumentada para 150V em duas situações. Uma considerando a queda do diodo e outra não. Compare os resultados.

(a) -19,08 V; (b) -18,635 V; (c) -95,4 V (I) aproximadamente -94,95 V (II)
(a) -30 V; (b) -29,3 V; (c) -47,7 V (I) aproximadamente -47,48 V (II)
(a) 9,54 V; (b) 9,32 V; (c) 47,7 V (I) aproximadamente 47,48 V (II)
(a) -9,54 V; (b) -9,32 V; (c) -47,7 V (I) aproximadamente -47,48 V (II)
(a) -9,54 V; (b) -9,32 V; (c) -150 V (I) aproximadamente -149,3 V (II)
Escolha a alternativa que possui a palavra cujo significado é a frase a seguir: "É todo material que possui uma rede cristalina pura, de somente um tipo de átomo, e suas ligações são covalentes e não possuem elétrons livres na camada de valência, ou seja, não passou pelo processo de dopagem"
Semicondutor
Intrínseco
Dopado
Silício
Extrínseco
Considere uma fonte de 9VDC ligada a um circuito série com 5 diodos de silício polarizados diretamente e, posteriormente, uma resistência de 1k Ohms. Qual a tensão aplicada sobre essa resistência?
I = 5,66 mA VR1 = 5,66V
I = 4,33 mA VR1 = 4,33V
I = 6 mA VR1 = 6V
I = 4,66 mA VR1 = 4,66V
I = 3,33 mA VR1 = 3,33V
Escolha a alternativa que completa a frase a seguir: "A pastilha semicondutora de silício do tipo N passou pelo processo de dopagem eletrônica com átomos_________________"
Pentavalentes
Trivalentes
Tetravalentes
Polivantes
Nenhuma das Anteriores
Considerando o circuito abaixo, escolha a alternativa que representa o valor de VCE:

4V
7V
8V
12V
4,5V
Considerando o modelo simplificado do diodo, determine as correntes ID para os circuitos mostrados na figura abaixo.

(a) 0 mA (b) 0 mA
(a) - 2,053mA (b) - 8,77mA
(a) 2,053mA (b) 8,77mA
(a) 4,063mA (b) 2,55mA
(a) - 2,053mA (b) - 4,23mA
Dado o circuito abaixo responda:
(a) Determine o valor médio (cc) de saída para o circuito da figura abaixo.
(b) Repita o item (a) se o diodo ideal for substituído por um diodo de silício.
(c) Repita os itens (a) e (b) se Vp (Tensão de pico) for aumentada para 150V em duas situações. Uma considerando a queda do diodo e outra não. Compare os resultados.

(a) -19,08 V; (b) -18,635 V; (c) -95,4 V (I) aproximadamente -94,95 V (II)
(a) -30 V; (b) -29,3 V; (c) -47,7 V (I) aproximadamente -47,48 V (II)
(a) 9,54 V; (b) 9,32 V; (c) 47,7 V (I) aproximadamente 47,48 V (II)
(a) -9,54 V; (b) -9,32 V; (c) -47,7 V (I) aproximadamente -47,48 V (II)
(a) -9,54 V; (b) -9,32 V; (c) -150 V (I) aproximadamente -149,3 V (II)
Escolha a alternativa que possui a palavra cujo significado é a frase a seguir: "É todo material que possui uma rede cristalina pura, de somente um tipo de átomo, e suas ligações são covalentes e não possuem elétrons livres na camada de valência, ou seja, não passou pelo processo de dopagem"
Semicondutor
Intrínseco
Dopado
Silício
Extrínseco
Considere uma fonte de 9VDC ligada a um circuito série com 5 diodos de silício polarizados diretamente e, posteriormente, uma resistência de 1k Ohms. Qual a tensão aplicada sobre essa resistência?
Pentavalentes
Trivalentes
Tetravalentes
Polivantes
Nenhuma das Anteriores
Considerando o circuito abaixo, escolha a alternativa que representa o valor de VCE:

4V
7V
8V
12V
4,5V
Considerando o modelo simplificado do diodo, determine as correntes ID para os circuitos mostrados na figura abaixo.

(a) 0 mA (b) 0 mA
(a) - 2,053mA (b) - 8,77mA
(a) 2,053mA (b) 8,77mA
(a) 4,063mA (b) 2,55mA
(a) - 2,053mA (b) - 4,23mA
Dado o circuito abaixo responda:
(a) Determine o valor médio (cc) de saída para o circuito da figura abaixo.
(b) Repita o item (a) se o diodo ideal for substituído por um diodo de silício.
(c) Repita os itens (a) e (b) se Vp (Tensão de pico) for aumentada para 150V em duas situações. Uma considerando a queda do diodo e outra não. Compare os resultados.

(a) -19,08 V; (b) -18,635 V; (c) -95,4 V (I) aproximadamente -94,95 V (II)
(a) -30 V; (b) -29,3 V; (c) -47,7 V (I) aproximadamente -47,48 V (II)
(a) 9,54 V; (b) 9,32 V; (c) 47,7 V (I) aproximadamente 47,48 V (II)
(a) -9,54 V; (b) -9,32 V; (c) -47,7 V (I) aproximadamente -47,48 V (II)
(a) -9,54 V; (b) -9,32 V; (c) -150 V (I) aproximadamente -149,3 V (II)
Escolha a alternativa que possui a palavra cujo significado é a frase a seguir: "É todo material que possui uma rede cristalina pura, de somente um tipo de átomo, e suas ligações são covalentes e não possuem elétrons livres na camada de valência, ou seja, não passou pelo processo de dopagem"
Semicondutor
Intrínseco
Dopado
Silício
Extrínseco
Considere uma fonte de 9VDC ligada a um circuito série com 5 diodos de silício polarizados diretamente e, posteriormente, uma resistência de 1k Ohms. Qual a tensão aplicada sobre essa resistência?

4V
7V
8V
12V
4,5V
Considerando o modelo simplificado do diodo, determine as correntes ID para os circuitos mostrados na figura abaixo.

(a) 0 mA (b) 0 mA
(a) - 2,053mA (b) - 8,77mA
(a) 2,053mA (b) 8,77mA
(a) 4,063mA (b) 2,55mA
(a) - 2,053mA (b) - 4,23mA
Dado o circuito abaixo responda:
(a) Determine o valor médio (cc) de saída para o circuito da figura abaixo.
(b) Repita o item (a) se o diodo ideal for substituído por um diodo de silício.
(c) Repita os itens (a) e (b) se Vp (Tensão de pico) for aumentada para 150V em duas situações. Uma considerando a queda do diodo e outra não. Compare os resultados.

(a) -19,08 V; (b) -18,635 V; (c) -95,4 V (I) aproximadamente -94,95 V (II)
(a) -30 V; (b) -29,3 V; (c) -47,7 V (I) aproximadamente -47,48 V (II)
(a) 9,54 V; (b) 9,32 V; (c) 47,7 V (I) aproximadamente 47,48 V (II)
(a) -9,54 V; (b) -9,32 V; (c) -47,7 V (I) aproximadamente -47,48 V (II)
(a) -9,54 V; (b) -9,32 V; (c) -150 V (I) aproximadamente -149,3 V (II)
Escolha a alternativa que possui a palavra cujo significado é a frase a seguir: "É todo material que possui uma rede cristalina pura, de somente um tipo de átomo, e suas ligações são covalentes e não possuem elétrons livres na camada de valência, ou seja, não passou pelo processo de dopagem"
Semicondutor
Intrínseco
Dopado
Silício
Extrínseco
Considere uma fonte de 9VDC ligada a um circuito série com 5 diodos de silício polarizados diretamente e, posteriormente, uma resistência de 1k Ohms. Qual a tensão aplicada sobre essa resistência?

(a) 0 mA (b) 0 mA
(a) - 2,053mA (b) - 8,77mA
(a) 2,053mA (b) 8,77mA
(a) 4,063mA (b) 2,55mA
(a) - 2,053mA (b) - 4,23mA
Dado o circuito abaixo responda:
(a) Determine o valor médio (cc) de saída para o circuito da figura abaixo.
(b) Repita o item (a) se o diodo ideal for substituído por um diodo de silício.
(c) Repita os itens (a) e (b) se Vp (Tensão de pico) for aumentada para 150V em duas situações. Uma considerando a queda do diodo e outra não. Compare os resultados.

(a) -19,08 V; (b) -18,635 V; (c) -95,4 V (I) aproximadamente -94,95 V (II)
(a) -30 V; (b) -29,3 V; (c) -47,7 V (I) aproximadamente -47,48 V (II)
(a) 9,54 V; (b) 9,32 V; (c) 47,7 V (I) aproximadamente 47,48 V (II)
(a) -9,54 V; (b) -9,32 V; (c) -47,7 V (I) aproximadamente -47,48 V (II)
(a) -9,54 V; (b) -9,32 V; (c) -150 V (I) aproximadamente -149,3 V (II)
Escolha a alternativa que possui a palavra cujo significado é a frase a seguir: "É todo material que possui uma rede cristalina pura, de somente um tipo de átomo, e suas ligações são covalentes e não possuem elétrons livres na camada de valência, ou seja, não passou pelo processo de dopagem"
Semicondutor
Intrínseco
Dopado
Silício
Extrínseco
Considere uma fonte de 9VDC ligada a um circuito série com 5 diodos de silício polarizados diretamente e, posteriormente, uma resistência de 1k Ohms. Qual a tensão aplicada sobre essa resistência?

(a) -19,08 V; (b) -18,635 V; (c) -95,4 V (I) aproximadamente -94,95 V (II)
(a) -30 V; (b) -29,3 V; (c) -47,7 V (I) aproximadamente -47,48 V (II)
(a) 9,54 V; (b) 9,32 V; (c) 47,7 V (I) aproximadamente 47,48 V (II)
(a) -9,54 V; (b) -9,32 V; (c) -47,7 V (I) aproximadamente -47,48 V (II)
(a) -9,54 V; (b) -9,32 V; (c) -150 V (I) aproximadamente -149,3 V (II)
Escolha a alternativa que possui a palavra cujo significado é a frase a seguir: "É todo material que possui uma rede cristalina pura, de somente um tipo de átomo, e suas ligações são covalentes e não possuem elétrons livres na camada de valência, ou seja, não passou pelo processo de dopagem"
Semicondutor
Intrínseco
Dopado
Silício
Extrínseco
Considere uma fonte de 9VDC ligada a um circuito série com 5 diodos de silício polarizados diretamente e, posteriormente, uma resistência de 1k Ohms. Qual a tensão aplicada sobre essa resistência?
Semicondutor
Intrínseco
Dopado
Silício
Extrínseco